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DMG6602SVT-7 DIODES美臺(tái) MOSFET - 陣列 N 和 P 溝道 30V 3.4A,2.8A 840mW 表面貼裝型 TSOT-26

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DMG6602SVT-7  DIODES美臺(tái)   MOSFET - 陣列 N 和 P 溝道 30V 3.4A,2.8A 840mW 表面貼裝型 TSOT-26

類(lèi)別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET、MOSFET 陣列
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
Product Status
不適用于新設(shè)計(jì)
FET 類(lèi)型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源電壓(Vdss)
30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.4A,2.8A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
60 毫歐 @ 3.1A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
13nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
400pF @ 15V
功率 - 最大值
840mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝
TSOT-26
基本產(chǎn)品編號(hào)
DMG6602

DMG6602SVT-7.png