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海力士CEO:正爭(zhēng)取為無(wú)錫廠引進(jìn)EUV光刻機(jī)

來(lái)源:貼片電容 發(fā)布時(shí)間:2021-11-25 瀏覽:493

芯片大師近期報(bào)道故技重施!美國(guó)正阻止EUV光刻機(jī)進(jìn)入海力士中國(guó)廠,11月22日,韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)成立30年紀(jì)念活動(dòng)在首爾舉辦。與會(huì)期間,SK海力士CEO 李錫熙和媒體交流時(shí)談到了無(wú)錫海力士半導(dǎo)體工廠相關(guān)情況。


關(guān)于EUV光刻機(jī)進(jìn)廠可能延期的問(wèn)題,李錫熙表示,正與美方合作,進(jìn)展良好。EUV光刻技術(shù)已經(jīng)在韓國(guó)本土的DRAM產(chǎn)線上應(yīng)用,中國(guó)工廠還有充足的時(shí)間供斡旋溝通。


據(jù)悉,SK海力士將基于EUV光刻機(jī)制造10nm(1A) DRAM芯片,也就是第四代內(nèi)存芯片,而本次計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)EUV工藝的中國(guó)無(wú)錫工廠同樣計(jì)劃應(yīng)用相關(guān)技術(shù)。


美國(guó)貿(mào)易代表戴琪在最近訪問(wèn)首爾期間表示,“出于合法擔(dān)憂,更多的此類舉措是可能的”。


資料顯示,無(wú)錫海力士工廠的DRAM產(chǎn)能大約占SK海力士全球產(chǎn)能的50%,而SK海力士DRAM全球市占率為27.2%,僅次于三星。


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