會(huì)上，羅鎮(zhèn)球表示，臺(tái)積電將在2nm節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，同時(shí)于明年3月推出5nm汽車電子工藝平臺(tái)。

隨著Nanosheet/Nanowire晶體管和新材料上馬，也意味著，一代傳奇架構(gòu)FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在先進(jìn)工藝的壽命將最多延續(xù)至3nm節(jié)點(diǎn)。

盡管如此，不同于三星在3nm上直接上馬GAA（環(huán)繞柵極晶體管），臺(tái)積電已經(jīng)成功將FinFET至少延續(xù)到了3nm（至少第一代）時(shí)代。

FinFET（又稱3D晶體管）系華人教授胡正明于1999年發(fā)明，他出生于北京豆芽菜胡同，曾任臺(tái)積電首席技術(shù)官。FinFET第一代由Intel在2012年的22nm節(jié)點(diǎn)應(yīng)用量產(chǎn)，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電、三星還停留在28nm工藝。

直到Bulk CMOS工藝技術(shù)在20nm走到盡頭之后，胡教授發(fā)明的FinFET和FD-SOI工藝得以使三星/臺(tái)積電的14nm/16nm延續(xù)摩爾定律傳奇至今。