美光宣布為應(yīng)對市場狀況，公司將內(nèi)存DRAM和閃存NAND晶圓生產(chǎn)開工率比2022財年第四季度降低約20%。
圖：美光晶圓廠
美光預計，2023年公司內(nèi)存DRAM供應(yīng)量將同比下降，閃存NAND供應(yīng)量同比增長10%以內(nèi)。美光認為，為顯著改善供應(yīng)鏈的總庫存，2023年內(nèi)存DRAM供應(yīng)量需同比下降，閃存NAND供應(yīng)量增長需大大低于先前預期。
美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“美光正大刀闊斧地減少供應(yīng)量增長以縮減公司庫存規(guī)模。我們將繼續(xù)監(jiān)測行業(yè)狀況，并根據(jù)需要做出進一步調(diào)整。盡管近期面臨周期性挑戰(zhàn)，但我們?nèi)詫κ袌龅拈L期需求驅(qū)動因素充滿信心，從長期來看，我們預計公司內(nèi)存和存儲營收增長將居半導體行業(yè)之首?！?/span>
